BDX33C中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
BDX33C |
| 参数属性 | BDX33C 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 10A TO220 |
| 功能描述 | Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 文件大小 |
121.35 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-5 14:01:00 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BDX33C三极管、BDX33C晶体管、BDX33C晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
10A
- 最大工作频率：
>20MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD267B,BD649,BD701,BDT63B,BDT65B,BDW93C,YZ25D,
- 最大耗散功率：
70W
- 放大倍数：
β>750
- 图片代号：
B-10
- vtest：
100
- htest：
20000100
- atest：
10
- wtest：
70
BDX33C规格书详情
DARLINGTON COPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
..designed for general-purpose amplifier and low speed switching application*
FEATURES:
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus) = 45 V (Min) - BDX33. BUX34
= 60 V(Min)- BDX33A. BDX34A
= 80V (Min)- BDX33B. BDX34B
= 100 V(Mln) - BDX33C. BOX34C
* Monolithic Construction wtth Built-in Base-Emitter Shunt Resistor
产品属性
- 产品编号：
BDX33C
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 6mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 10A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
19+ |
TO-220-3 |
2000 |
15年光格 只做原装正品 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
21+ |
TO-220AB |
25129 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
询价 | ||
ST |
23/22+ |
TO220-3 |
2000 |
代理渠道.实单必成 |
询价 | ||
STM |
21+ |
TO-220-3 |
2000 |
原装正品 有挂有货 |
询价 | ||
ST/意法 |
2021+ |
TO-220-3 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
询价 | ||
TO-220 |
10000 |
全新 |
询价 | ||||
ST |
23+ |
原厂封装 |
9526 |
询价 | |||
ST |
最新 |
76 |
原装正品 现货供应 价格优 |
询价 | |||
ST |
21+ |
TO-220-3 |
22651 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ST |
21+ |
2800 |
询价 |
