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BDW94C	文件：136.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High DC Current Gain ·DARLINGTON ·Complement to type BDW93/A/B/C APPLICATIONS ·Hammer drivers, ·Audio amplifiers applications 文件：136.45 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDW94C	文件：309.19 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·With TO-220 packaging ·Very high DC current gain ·Monolithic darlington transistor with integrated antiparallel collector-emitter diode ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·AC-DC motor control ·Electronic ignition 文件：309.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDW94C	文件：137.83 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -lc= -12A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus) = -45V(Min)- BDW94; -60V(Min)- BDW94A -SOV(Min)- BDW94B; -100V(Min)- BDW94C • Complement to Type BDW93/A/B/C APPLICATIONS • Designed for hammer drivers, audio ampli 文件：137.83 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDW94C	文件：152.66 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDW93, BDW93A, BDW93B and BDW93C ● 80 W at 25°C Case Temperature ● 12 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 5 A 文件：152.66 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BDW94C	文件：94.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High DC Current Gain • DARLINGTON • Complement to type BDW93/A/B/C APPLICATIONS • Hammer drivers, • Audio amplifiers applications 文件：94.07 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDW94C	文件：95.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • High DC Current Gain • DARLINGTON • Complement to type BDW93/A/B/C APPLICATIONS • Hammer drivers, • Audio amplifiers applications 文件：95.65 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDW94C	文件：79.76 Kbytes Page：1 Pages	Complementary Power Darlington TR DESCRIPTION It is intented for use in power amplifier and switching applications. 文件：79.76 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
BDW94C	文件：689.25 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：689.25 Kbytes 页数：5 Pages	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BDW94C	文件：80.06 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The BDW93C is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. It is intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP type is BDW94C. Also BDW94B is a PNP type. ■ STMicroel 文件：80.06 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BDW94CF	文件：419.1 Kbytes Page：4 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor Power Linear and Switching Application • Power Darlington TR • Complement to BDW93CF Respectively 文件：419.1 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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晶体管资料

型号：
BDW94
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT62,BDT64,BDWD44,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-10
vtest：
45
htest：
20000100
atest：
12
wtest：
80

产品属性

产品编号：
BDW94
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 100mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 5A，3V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS PNP DARL 45V 12A TO220-3

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