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BDW83

NPN SILICON POWER DARLINGTONS

● Designed for Complementary Use with\n   BDW84, BDW84A, BDW84B, BDW84C and BDW84D\n● 125 W at 25°C Case Temperature\n● 15 A Continuous Collector Current\n● Minimum hFE of 750 at 3 V, 6 A

Bourns

伯恩斯

BDW83

Trans Darlington NPN 45V 15A 3-Pin(3+Tab) SOT-93

NJS

NJS

BDW83

Transistor

Comset

BDW83A-S

Package:TO-218-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 60V 15A SOT93

Bourns Inc.

Bourns Inc.

BDW83B

Package:TO-218-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 15A TO218

CENTRAL

BDW83B-S

Package:TO-218-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 80V 15A SOT93

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶体管资料

  • 型号:

    BDW83

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    45V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    >1MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDV65,BDV67,FH9B,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    B-62

  • vtest:

    45

  • htest:

    1000100

  • atest:

    15

  • wtest:

    150

技术参数

  • Number of Elements per Chip:

    1

  • Minimum Operating Temperature:

    -65°C

  • Minimum DC Current Gain:

    \\750@6A@3V100@15A@3V\\

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Continuous DC Collector Current:

    15A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    45V

  • Maximum Collector Base Voltage:

    45V

  • Configuration:

    Single

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更多BDW83供应商 更新时间2026-3-10 16:01:00