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BDW64	文件：267.22 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -IC= -6A • High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= -2A • Complement to Type BDW63/A/B/C/D APPLICATIONS • Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications 文件：267.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDW64	文件：99.41 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS • Designed forComplementary Use with BDW63, BDW63A, BDW63B, BOW63C and BDW63D • 60 W at 25°C Case Temperature • 6 A Continuous Collector Current • MinimumhFE of 750 at 3V, 2 A 文件：99.41 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDW64	文件：146.85 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDW63, BDW63A, BDW63B, BDW63C and BDW63D ● 60 W at 25°C Case Temperature ● 6 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 2 A 文件：146.85 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BDW64	文件：114.86 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS 文件：114.86 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BDW64A	文件：99.41 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS • Designed forComplementary Use with BDW63, BDW63A, BDW63B, BOW63C and BDW63D • 60 W at 25°C Case Temperature • 6 A Continuous Collector Current • MinimumhFE of 750 at 3V, 2 A 文件：99.41 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDW64A	文件：267.22 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -IC= -6A • High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= -2A • Complement to Type BDW63/A/B/C/D APPLICATIONS • Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications 文件：267.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDW64A	文件：146.85 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDW63, BDW63A, BDW63B, BDW63C and BDW63D ● 60 W at 25°C Case Temperature ● 6 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 2 A 文件：146.85 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BDW64B	文件：99.41 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS • Designed forComplementary Use with BDW63, BDW63A, BDW63B, BOW63C and BDW63D • 60 W at 25°C Case Temperature • 6 A Continuous Collector Current • MinimumhFE of 750 at 3V, 2 A 文件：99.41 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDW64B	文件：146.85 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDW63, BDW63A, BDW63B, BDW63C and BDW63D ● 60 W at 25°C Case Temperature ● 6 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 2 A 文件：146.85 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BDW64B	文件：267.22 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -IC= -6A • High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= -2A • Complement to Type BDW63/A/B/C/D APPLICATIONS • Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications 文件：267.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
BDW64
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
>1MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD264,BD644,BD896,BDW24,BDW74,BDX54,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-10
vtest：
45
htest：
1000100
atest：
6
wtest：
60

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
750@2A@3V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Continuous DC Collector Current：
6A
Maximum Collector Emitter Voltage：
45V
Maximum Collector Base Voltage：
45V
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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