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BDW47	文件：240.98 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTOR PNP SILICON PLANAR DARLINGTON POWER TRANSISTOR General Purpose and Low Speed Switching Application Complementary BDW42 文件：240.98 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BDW47	文件：414.16 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS BDW39 BDW40 BDW41 BDW42 BDW43 (NPN) BDW44 BDW45 BDW46 BDW47 BDW48 (PNP) 文件：414.16 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BDW47	文件：133.03 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type BDW42 • DARLINGTON • High DC current gain • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general purpose and low speed switching applications 文件：133.03 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDW47	文件：93.81 Kbytes Page：2 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors Darlington Complementary Silicon Power Transistors This series of plastic, medium-power silicon NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed switching applications. Features • High DCCurrent Gain - hFE = 2500 (typ) @ Ic = 5.0Adc. • Collector Emitter Susta 文件：93.81 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDW47	文件：92.13 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220C package • Complement to type BDW42 • DARLINGTON • High DC current gain • Low collector saturation voltage APPLICATIONS • For general purpose and low speed switching applications 文件：92.13 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDW47	文件：176.16 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Darlington Complementary Silicon Power Transistors This series of plastic, medium−power silicon NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc. • Collector Emitter Sus 文件：176.16 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDW47	文件：95.17 Kbytes Page：7 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：95.17 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDW47	文件：75.17 Kbytes Page：8 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors 文件：75.17 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDW47	文件：93.71 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：93.71 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDW47G	文件：89.17 Kbytes Page：7 Pages	Darlington Complementary Silicon Power Transistors This series of plastic, medium−power silicon NPN and PNP Darlington transistors are designed for general purpose and low speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (typ) @ IC = 5.0 Adc. • Collector Emitter Sustaining Voltage @ 30 mAdc: VCEO(sus) = 80 Vdc ( 文件：89.17 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
BDW47
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
85W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
B-45
vtest：
100
htest：
4000100
atest：
15
wtest：
85

产品属性

产品编号：
BDW47
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 50mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
频率 - 跃迁：
4MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS PNP DARL 100V 15A TO220

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