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BDT62A	文件：265.9 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Darlington Power Transistors DESCRIPTION ·DC Current Gain -hFE = 1000(Min)@ IC= -3A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT62; -80V(Min)- BDT62A; -100V(Min)- BDT62B; -120V(Min)- BDT62C ·Complement to Type BDT63/A/B/C APPLICATIONS ·Designed for use in 文件：265.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT62A	文件：87.09 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Darlington Power Transistors 文件：87.09 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT62A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington PNP 80V 10A	NJS	NJS
BDT62AF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington PNP 80V 10A	NJS	NJS

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65ﾡC
Minimum DC Current Gain：
1000@3A@3V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Continuous DC Collector Current：
10A
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum Collector Base Voltage：
80V
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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千层芯半导体(深圳)有限公司	BDT62A	ST	24+	TO-220	15000	原装现货热卖	询价
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更多BDT62A供应商更新时间2025-10-12 16:01:00

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