BDT61分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BDT61 |
| 参数属性 | BDT61 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 4A TO220 |
| 功能描述 | isc Silicon NPN Darlington Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
264.11 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
| 中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 | ISC |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | BDT61价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BDT61规格书详情
DESCRIPTION
• DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= 1.5A
• Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 60V(Min)- BDT61; 80V(Min)- BDT61A; 100V(Min)- BDT61B; 120V(Min)- BDT61C
• Complement to Type BDT60/A/B/C
APPLICATIONS
• Designed for use in audio amplifier output stages , general purpose amplifier and high speed switching applications
产品属性
- 产品编号：
BDT61B-S
- 制造商：
Bourns Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 6mA，1.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 4A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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