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BDT60C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BDT60C

参数属性

BDT60C 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 120V 4A TO220

功能描述

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

封装外壳

TO-220-3

文件大小

168.47 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

POINN

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-5 12:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BDT60C

  • 别名:

    BDT60C三极管、BDT60C晶体管、BDT60C晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    >10MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDW54D,BDW64D,

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    B-89

  • vtest:

    120

  • htest:

    10000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    50

BDT60C规格书详情

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

● Designed for Complementary Use with BDT61, BDT61A, BDT61B and BDT61C

● 50 W at 25°C Case Temperature

● 4 A Continuous Collector Current

● Minimum hFE of 750 at 1.5 V, 3 A

产品属性

  • 产品编号:

    BDT60C-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2.5V @ 6mA,1.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    750 @ 1.5A,3V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 120V 4A TO220

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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