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BDT60

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

TRANSYS

BDT60B-S

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 100V 4A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

BDT60C-S

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 120V 4A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

BDT60-S

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 60V 4A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶体管资料

  • 型号:

    BDT60

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    >10MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD716,BDW24A,BDW54A,BDW64A,TIP115,6035Y,

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

    β>750

  • 图片代号:

    B-89

  • vtest:

    60

  • htest:

    10000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    50

技术参数

  • Number of Elements per Chip:

    1

  • Minimum Operating Temperature:

    -65°C

  • Minimum DC Current Gain:

    750@3A@1.5V

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    5V

  • Maximum Continuous DC Collector Current:

    4A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    60V

  • Maximum Collector Base Voltage:

    60V

  • Configuration:

    Single

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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BDT60
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更多BDT60供应商 更新时间2026-4-24 16:01:00