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BDT32C	文件：117.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors 文件：117.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT32C	文件：130.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：130.3 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
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BDT32CF	文件：118.23 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors 文件：118.23 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT32CF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 100V 3A	NJS	NJS

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
140V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.2@0.375A@3AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
22000mW
Maximum Transition Frequency：
3(Min)MHz
Type：
PNP

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更多BDT32C供应商更新时间2025-10-5 16:01:00

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