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BDT31F	文件：117.29 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors 文件：117.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT31F	文件：134.11 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：134.11 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT31F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 3A	NJS	NJS
BDW93CTU	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON TO-220	ON 上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司	ON
BDX33C其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 TO-220	ST/意法上传：深圳庞田科技有限公司	ST/意法

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.2@0.375A@3AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
22000mW
Maximum Transition Frequency：
3(Min)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BDT31F供应商更新时间2025-10-13 14:04:00

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