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BDT31C	文件：116.4 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors 文件：116.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT31C	文件：129.979 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：129.979 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT31CF	文件：134.11 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：134.11 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDT31CF	文件：117.29 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors 文件：117.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDT31C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 100V 3A	NJS	NJS

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
140V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.2@0.375A@3AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum DC Collector Current：
3A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Transition Frequency：
3(Min)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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