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|---|---|---|---|---|
BDT31A | isc Silicon NPN Power Transistors 文件：116.4 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
BDT31A | Silicon NPN Power Transistors 文件：129.979 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
Silicon NPN Power Transistors 文件：134.11 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | ||
isc Silicon NPN Power Transistors 文件：117.29 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
BDT31A | Trans GP BJT NPN 60V 3A | NJS | NJS | |
Trans GP BJT NPN 60V 3A | NJS | NJS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
3DD62C,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-89
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
3
- wtest：
40
技术参数
- Configuration：
Single
- Material：
Si
- Maximum Collector Base Voltage：
100V
- Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.2@0.375A@3AV
- Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
- Maximum DC Collector Current：
3A
- Maximum Emitter Base Voltage：
5V
- Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
- Maximum Power Dissipation：
40000mW
- Maximum Transition Frequency：
3(Min)MHz
- Type：
NPN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
恩XP |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
TO-220 |
91433 |
询价 | |||
恩XP |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
80660 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
BUJEON |
2022+ |
1000 |
全新原装 货期两周 |
询价 |
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更新时间2026-2-4 16:00:00
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