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BDT30DF	文件：114.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors 文件：114.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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BDT30DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 120V 1A	NJS	NJS
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BDX33C其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220	ST/意法上传：深圳庞田科技有限公司	ST/意法

晶体管资料

型号：
BDT30DF
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
19W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
100
htest：
999900
atest：
3
wtest：
19

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
160V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.7@0.125A@1AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
120V
Maximum DC Collector Current：
1A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
19000mW
Maximum Transition Frequency：
3(Min)MHz
Type：
PNP

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