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BDS16

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=120V(Min) •LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=4A •HighReliablity APPLICATIONS •DesignedforpowerlinearandswitchingapplicationandGeneralpueposepower.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

BDS16

SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR

FEATURES •HERMETICMETALORCERAMICPACKAGES •HIGHRELIABILITY •MILITARYANDSPACEOPTIONS •SCREENINGTOCECCLEVELS •FULLYISOLATED(METALVERSION) APPLICATIONS •POWERLINEARANDSWITCHINGAPPLICATIONS •GENERALPURPOSEPOWER

TTELECTT Electronics.

梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司

TTELEC

BDS16

SILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES

SEME-LAB

Seme LAB

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BDS16

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BDS16_07

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BDS16SMD

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BDS16SMD05

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晶体管资料

  • 型号:

    BDS16

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    90W

  • 放大倍数:

    β=250

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    15

  • wtest:

    90

详细参数

  • 型号:

    BDS16

  • 制造商:

    SEME-LAB

  • 制造商全称:

    Seme LAB

  • 功能描述:

    SILICON NPN EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES

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更多BDS16供应商 更新时间2024-4-28 15:24:00