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BDP953	文件：528.94 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BDP953；Package：SOT223；Silicon NPN Transistors • For AF driver and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BDP948, BDP950, BDP954 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：528.94 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP953	文件：528.88 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BDP953；Package：SOT223；Silicon NPN Transistors 文件：528.88 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP953	文件：41.1 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain) NPN Silicon AF Power Transistors • For AF drivers and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary type: BDP952...BDP956 (PNP) 文件：41.1 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BDP953	文件：45.4 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon AF Power Transistor NPN Silicon AF Power Transistor • For AF driver and output stages • High collector current • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BDP952 ... BDP956 (PNP) 文件：45.4 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP953	文件：524.11 Kbytes Page：8 Pages	Silicon NPN Transistors 文件：524.11 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP953	文件：300 bytes Page：1 Pages	General Purpose Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP953E6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 3A SOT223-4	Infineon 英飞凌	Infineon
BDP953H6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 3A SOT223-4	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Polarity ：
NPN (Single)
VCEO max：
100.0V
Ptot max：
5000.0mW
hFE min max：
100.0 475.0
IC max：
3000.0mA
IC ：
3000.0mA
VCE ：
1.0V
VCBO max：
120.0V
VEBO max：
5.0V
ICM max：
5000.0mA
ICBO max：
100.0nA
fT ：
100.0MHz
VCE(sat) max：
0.8V
Mounting ：
SMT
IBM max：
500.0mA
Package ：
P-SOT223-4-10

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