BD680中文资料互补硅功率达林顿晶体管数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
BD680 |
| 参数属性 | BD680 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 80V 4A SOT32-3 |
| 功能描述 | 互补硅功率达林顿晶体管 |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 14:15:00 |
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BD680规格书详情
描述 Description
The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration.
特性 Features
• Good hFE linearity
• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
• High fT frequency
简介
BD680属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BD680晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BD680
- 生产厂家
：ST
- Marketing Status
：Active
- Grade
：Industrial
- Transistor Polarity
：PNP
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
：80
- Collector-Base Voltage_max(V)
：80
- Collector Current_abs_max(A)
：4
- Dc Current Gain_min
：750
- Test Condition for hFE (IC)
：1.5
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
：3
- VCE(sat)_max(V)
：2.5
- Test Condition for VCE(sat) - IC
：1.5
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-126 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
45000 |
ONSEMI/安森美全新现货BD680即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
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STMicroelectronics |
22+ |
2000 |
原装现货 支持实单 |
询价 | |||
OA |
23+ |
160 |
询价 | ||||
ST/意法半导体 |
2020+ |
SOT-32 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
原厂 |
25+ |
320 |
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FAIRCHILD |
23+ |
TO-126F |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
台产 |
08+ |
TO-126 |
8000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
