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BD679	文件：135.28 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS PNP Silicon Darlington Transistors Epibase power darlington transistors (40W) 文件：135.28 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD679	文件：87.96 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Description The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Applications ■ Line 文件：87.96 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD679	文件：382.94 Kbytes Page：12 Pages	Complementary power Darlington transistors Description The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Applications ■ Line 文件：382.94 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD679	文件：382.93 Kbytes Page：12 Pages	Complementary power Darlington transistors Description The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Applications ■ Line 文件：382.93 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD679	文件：382.93 Kbytes Page：12 Pages	Complementary power Darlington transistors Description The devices are manufactured in planar base island technology with monolithic Darlington configuration. Features ■ Good hFE linearity ■ High fT frequency ■ Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode Applications ■ Line 文件：382.93 Kbytes 页数：12 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD679	文件：130.63 Kbytes Page：3 Pages	NPN PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTORS NPN PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTORS Complementary BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682 & 684 文件：130.63 Kbytes 页数：3 Pages	TEL	TEL
BD679	文件：252.33 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS 文件：252.33 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD679	文件：109.23 Kbytes Page：4 Pages	Plastic Medium?좵ower Silicon NPN Darlingtons 文件：109.23 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD679	文件：332.11 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 文件：332.11 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BD679	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS 文件：2.43533 Mbytes 页数：31 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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晶体管资料

型号：
BD679(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD263A,BD779,FD50B,2N6039,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
10000100
atest：
4
wtest：
40

产品属性

产品编号：
BD679
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 1.5A，3V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN DARL 80V 4A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市星宇佳科技有限公司	BD679	STM	23+	SOT-32-3 (TO-126-3)	5900		询价
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深圳市旺财半导体有限公司	BD679	MOTOROLA/摩托罗拉	23+		1688	房间现货库存:QQ:373621633	询价
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