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BD649数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BD649

参数属性

BD649 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO220

功能描述

Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

封装外壳

TO-220-3

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BD649

  • 生产厂家

    :NJS

  • Number of Elements per Chip

    :1

  • Minimum Operating Temperature

    :-65°C

  • Minimum DC Current Gain

    :750@3A@3V

  • Maximum Operating Temperature

    :150°C

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :5V

  • Maximum Continuous DC Collector Current

    :8A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :100V

  • Maximum Collector Base Voltage

    :120V

  • Maximum Base Emitter Saturation Voltage

    :3@50mA@5AV

  • Configuration

    :Single

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