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BD442中文资料PDF规格书

BD442
厂商型号

BD442

参数属性

BD442 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 80V 4A SOT32

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

文件大小

125.87 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 22:30:00

晶体管资料

  • 型号:

    BD442

  • 别名:

    BD442三极管、BD442晶体管、BD442晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    4A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD190,BD200,CD50B,

  • 最大耗散功率:

    36W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-21

  • vtest:

    80

  • htest:

    100000100

  • atest:

    4

  • wtest:

    36

BD442规格书详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Sustaining Voltage -

: VCEO(sus)= -80V(Min)

• Complement to type BD441

APPLICATIONS

• Designed for medium power linear and switching

applications.

产品属性

  • 产品编号:

    BD442

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    800mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 500mA,1V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-32

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 4A SOT32

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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