BD439数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
BD439 |
| 参数属性 | BD439 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 60V 4A TO126 |
| 功能描述 | 60 V, 4 A, NPN silicon epibase transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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技术参数
- 产品编号：
BD439
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，1V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 60V 4A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
NA/ |
316 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO225 |
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CJ/长电 |
25+ |
TO-126 |
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22+ |
TO126 |
100000 |
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TO-126 |
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1983 |
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CJ/长电 |
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TO-126 |
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ST |
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TO-126 |
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