BD439分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BD439 |
| 参数属性 | BD439 封装/外壳为TO-225AA，TO-126-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 60V 4A TO126 |
| 功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 文件大小 |
125.52 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 中文名称 | 新泽西半导体 新泽西半导体公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-21 10:45:00 |
| 人工找货 | BD439价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BD439三极管、BD439晶体管、BD439晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD187,BD197,3DD64C,
- 最大耗散功率：
36W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
60
- htest：
100000100
- atest：
4
- wtest：
36
BD439规格书详情
DESCRIPTION
• Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(sus)= 60V(Min)
• Complement to type BD440
APPLICATIONS
• Designed for medium power linear and switching applications.
产品属性
- 产品编号：
BD439
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 500mA，1V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 60V 4A TO126
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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