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BD438	文件：131.52 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type BD433/435/437 APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications 文件：131.52 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD438	文件：103.16 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-126 package ·Complement to type BD433/435/437 APPLICATIONS ·For medium power linear and switching applications 文件：103.16 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD438	文件：217.71 Kbytes Page：2 Pages	Plastic Encapsulate Transistors Features * Amplifier and switching applications 文件：217.71 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
BD438	文件：183.67 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS PNP Silicon Epibase Transistors 文件：183.67 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BD438	文件：70.41 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The BD433, BD435, and BD437 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in Jedec SOT-32 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. The BD433 is especially suitable for use in car-radio output stages. The complementary PNP types are BD43 文件：70.41 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BD438	文件：70.36 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS Intended for use in Medium Power Linear and Switching Applications 文件：70.36 Kbytes 页数：3 Pages	TEL	TEL
BD438	文件：110.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：110.29 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD438	文件：85.82 Kbytes Page：1 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor 文件：85.82 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BD438	文件：124.5 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：124.5 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD438	文件：299.31 Kbytes Page：3 Pages	PNP Silicon Power Transistors 文件：299.31 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC

晶体管资料

型号：
BD438
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD186,BD196,CD50A,
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
45
htest：
100000100
atest：
4
wtest：
36

产品属性

产品编号：
BD438
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
700mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS PNP 45V 4A TO126

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