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BD380	文件：116.61 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION · DC Current Gain: hFE= 20(Min)@ IC= -1A · Complement to Type BD375/377/379 APPLICATIONS · Designed for medium power linear and switching applications 文件：116.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD380	文件：42.86 Kbytes Page：4 Pages	Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Linear and Switching Applications • Complement to BD375, BD377 and BD379 respectively 文件：42.86 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BD380	文件：129.65 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：129.65 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD380	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 80V 2A	NJS 新泽西半导体	NJS
BD3801FS	文件：210.21 Kbytes Page：6 Pages	SCF built-in sound processor for car audio ●Description The BD3801FS is a sound processor IC for car audio applications. High S/N and low distortion parametric equalizer can be constructed without external capacitor by high-performance switched capacitor filter technology. Soft switch can reduce pop noise at switching volume. ●Feat 文件：210.21 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD3805F	文件：204.5 Kbytes Page：6 Pages	SCF built-in sound processor for car audio 文件：204.5 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD380S	文件：124.85 Kbytes Page：3 Pages	THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：124.85 Kbytes 页数：3 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BD380T	文件：48.55 Kbytes Page：2 Pages	THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：48.55 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BD380YS	文件：90.33 Kbytes Page：2 Pages	THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：90.33 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BD380YT	文件：47.6 Kbytes Page：2 Pages	THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 文件：47.6 Kbytes 页数：2 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

晶体管资料

型号：
BD380(-6...-25)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD180,BD238,BD442,3CA10F,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
100
htest：
999900
atest：
2
wtest：
25

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.1A@1AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum DC Collector Current：
2A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
25000mW
Type：
PNP

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