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BD351

Gas Discharge Tube

文件:240.65 Kbytes 页数:3 Pages

BENCENT

槟城电子

BD351

陶瓷气体放电管(GDT)-大通流系列

Bencent

槟城电子

BD3512MUV

Ultra Low Dropout Linear Regulators for PC Chipsets with Power Good

文件:675 Kbytes 页数:17 Pages

ROHM

罗姆

BD3512MUV_08

Ultra Low Dropout Linear Regulators for PC Chipsets with Power Good

文件:675 Kbytes 页数:17 Pages

ROHM

罗姆

BD35160

35A HIGH VOLTAGE BOSCH TYPE PRESS-FIT DIODE

文件:31.64 Kbytes 页数:2 Pages

WTE

Won-Top Electronics

BD351N

35 AMP BLOCK DIODES

文件:231.8 Kbytes 页数:2 Pages

SHUNYE

顺烨电子

BD351P

35 AMP BLOCK DIODES

文件:231.8 Kbytes 页数:2 Pages

SHUNYE

顺烨电子

BD3512MUV

4.3-5.5V 3A 1ch LDO

BD3512MUV是用于能够实现从超低电压输入到超低电压输出的芯片组的线性稳压器。通过使用内置的N-MOSFET功率晶体管,能够最大在导通电阻(RONMAX=100mΩ)发生的电压差的超低输入输出电压差下使用。通过把输入输出电压差控制在很小的限度,能够实现大电流(Iomax=3.0A)输出、降低变换损耗,因此可以置换开关电源。BD3512MUV不需要开关电源必须的用于扼流圈和整流的二极管、功率晶体管,因此能够实现装置整体的成本降低和小型化。使用外置电阻能够设定0.65~2.7V的任意输出电压。另外,通过使用NRCS端子能够调整电压输出的起动时间,因此能够支持装置的电源时序。 •内置高精度标准电压电路(0.65V±1%)\n•内置VCC低输入防止误动作电路(VCC=3.80V)\n•通过NRCS减少浪涌电流\n•内置超低导通电阻(65mΩ/typ)Nch Power MOSFET\n•内置电流限制电路(3.0A min)\n•内置热关断电路(定时锁存器)\n•输出可变型(0.65~2.7V)\n•高功率VQFN020V4040封装:4.0×4.0×0.9(mm)\n•支持跟踪功能;

ROHM

罗姆

BD35160

Pressfit Diodes

Won-top

毅星

技术参数

  • Status:

    可购买

  • 封装:

    VQFN020V4040

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Breakdown Voltage(Max.)[V]:

    6.0

  • ch:

    1

  • Vin(Min.)[V]:

    4.3

  • Vin(Max.)[V]:

    5.5

  • Vin 2ch[V]:

    0.7 to Vcc-1

  • Vout (Typ.) [V]:

    0.65 to 2.7

  • Vout Precision:

    ±1.0

  • Iout(Max.)[A]:

    3.0

  • Circuit Current[mA]:

    1.4

  • Thermal Shut-down:

    Recover

  • Over Current Protection:

    Yes

  • Under Voltage Lock Out:

    Yes

  • Soft Start:

    Variable

  • Operating Temperature (Min.)[°C]:

    -10

  • Operating Temperature (Max.)[°C]:

    100

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BD351供应商 更新时间2026-10-19 16:30:00