BD249C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BD249C |
| 参数属性 | BD249C 封装/外壳为TO-218-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 100V 25A SOT93 |
| 功能描述 | Silicon NPN Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-218-3 |
| 文件大小 |
133.25 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-7 23:01:00 |
| 人工找货 | BD249C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BD249C规格书详情
DESCRIPTION
• Collector Current -lc= 25A
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO = 45V(Min)- BD249; 60V(Min)- BD249A
80V(Min)- BD249B; 100V(Min)- BD249C
• Complement to Type BD250/A/B/C
APPLICATIONS
• Designed for use in general purpose power amplifier and
switching applications
产品属性
- 产品编号：
BD249C-S
- 制造商：
Bourns Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 5A，25A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 4V，25A
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
SOT-93
- 描述：
TRANS NPN 100V 25A SOT93
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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