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BD249C	文件：131.99 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(25A,125W) COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
BD249C	文件：93.76 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD250Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD249C	文件：109.16 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD250Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD249C	文件：194.79 Kbytes Page：6 Pages	NPN High?뭁ower Transistor NPNHigh−PowerTransistor NPNhigh−powertransistorsareforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •ESDRatings:MachineModel,C;>400V HumanBodyModel,3B;>8000V •EpoxyMeetsUL94V−0@0.125 •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD249C	文件：145.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBD250/A/B/C ·125Wat25°Ccasetemperature ·25Acontinuouscollectorcurrent	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD249C	文件：134.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBD250/A/B/C ·125Wat25°Ccasetemperature ·25Acontinuouscollectorcurrent	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD249C	文件：114.43 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD250Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD249C	文件：133.25 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-lc=25A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=45V(Min)-BD249;60V(Min)-BD249A 80V(Min)-BD249B;100V(Min)-BD249C •ComplementtoTypeBD250/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplifie	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD249C	文件：146.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD249CG	文件：194.79 Kbytes Page：6 Pages	NPN High?뭁ower Transistor NPNHigh−PowerTransistor NPNhigh−powertransistorsareforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •ESDRatings:MachineModel,C;>400V HumanBodyModel,3B;>8000V •EpoxyMeetsUL94V−0@0.125 •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
BD249C
功能描述：
两极晶体管 - BJT 25A 100V 125W NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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