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BD249C	文件：131.99 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(25A,125W) COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS	MOSPEC MOSPEC
BD249C	文件：93.76 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD250Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd
BD249C	文件：109.16 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD250Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
BD249C	文件：194.79 Kbytes Page：6 Pages	NPN High?뭁ower Transistor NPNHigh−PowerTransistor NPNhigh−powertransistorsareforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •ESDRatings:MachineModel,C;>400V HumanBodyModel,3B;>8000V •EpoxyMeetsUL94V−0@0.125 •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BD249C	文件：145.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBD250/A/B/C ·125Wat25°Ccasetemperature ·25Acontinuouscollectorcurrent	SAVANTIC Savantic, Inc.
BD249C	文件：134.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBD250/A/B/C ·125Wat25°Ccasetemperature ·25Acontinuouscollectorcurrent	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BD249C	文件：114.43 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD250Series ●125Wat25°CCaseTemperature ●25AContinuousCollectorCurrent ●40APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
BD249C	文件：133.25 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-lc=25A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=45V(Min)-BD249;60V(Min)-BD249A 80V(Min)-BD249B;100V(Min)-BD249C •ComplementtoTypeBD250/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplifie	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BD249C	文件：146.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.
BD249CG	文件：194.79 Kbytes Page：6 Pages	NPN High?뭁ower Transistor NPNHigh−PowerTransistor NPNhigh−powertransistorsareforgeneral−purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features •ESDRatings:MachineModel,C;>400V HumanBodyModel,3B;>8000V •EpoxyMeetsUL94V−0@0.125 •Pb−FreePackageisAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BD249C-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-218-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 25A SOT93	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
249	文件：97.21 Kbytes Page：3 Pages	1/2(12.7mm)ConductivePlastic&CermetPotentiometers	VishayVishay Siliconix 威世科技
249	文件：82.21 Kbytes Page：5 Pages	1/2(12.7mm)ConductivePlasticandCermetPotentiometers FEATURES •Model248:0.5Wat70°C(conductiveplastic element) •Model249:1Wat70°C(cermetelement) •Costeffectivepanelpotentiometer •PCBmounting •TestsaccordingtoCECC41000orIEC60393-1 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com	VishayVishay Siliconix 威世科技
249NQ	文件：114.21 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
AH249HP	文件：186.09 Kbytes Page：2 Pages	PrivacyMaskFunction	A1PROSA1 PROs co., Ltd. 韩国A1 PROS电子韩国A1 PROS电子有限公司
AH249VP	文件：174.52 Kbytes Page：2 Pages	RS485OPTION	A1PROSA1 PROs co., Ltd. 韩国A1 PROS电子韩国A1 PROS电子有限公司
AN249	文件：434.33 Kbytes Page：42 Pages	HUMANINTERFACEDEVICETUTORIAL Introduction TheHumanInterfaceDevice(HID)classspecificationallowsdesignerstocreateUSB-baseddevicesandapplicationswithouttheneedforcustomdriverdevelopment.Theirhighlevelsofon-chipintegrationandrobustUSBinterfacemakeSiliconLaboratoriesmicrocontrollersidealdevi	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司
AP249	文件：316.28 Kbytes Page：5 Pages	MMIC	RFHICRFHIC RFHIC
AP249	文件：215.67 Kbytes Page：6 Pages	HighLinearityDriveAmplifier	RFHICRFHIC RFHIC
BD249	文件：146.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.

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详细参数

型号：
BD249C
功能描述：
两极晶体管 - BJT 25A 100V 125W NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BD249C供应商更新时间2024-4-23 13:00:00

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