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BD249C	文件：109.16 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD250 Series ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 25 A Continuous Collector Current ● 40 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：109.16 Kbytes 页数：5 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BD249C	文件：114.43 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD250 Series ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 25 A Continuous Collector Current ● 40 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：114.43 Kbytes 页数：4 Pages	Bourns 伯恩斯	Bourns
BD249C	文件：194.79 Kbytes Page：6 Pages	NPN High?뭁ower Transistor NPN High−Power Transistor NPN high−power transistors are for general−purpose power amplifier and switching applications. Features • ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V Human Body Model, 3B; > 8000 V • Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 • Pb−Free Package is Available* 文件：194.79 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BD249C	文件：131.99 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(25A,125W) COMPLEMENTARY SILICON HIGH-POWER TRANSISTORS 文件：131.99 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
BD249C	文件：134.76 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type BD250/A/B/C ·125 W at 25°C case temperature ·25 A continuous collector current 文件：134.76 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD249C	文件：133.25 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -lc= 25A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 45V(Min)- BD249; 60V(Min)- BD249A 80V(Min)- BD249B; 100V(Min)- BD249C • Complement to Type BD250/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in general purpose power amplifie 文件：133.25 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD249C	文件：93.76 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD250 Series ● 125 W at 25°C Case Temperature ● 25 A Continuous Collector Current ● 40 A Peak Collector Current ● Customer-Specified Selections Available 文件：93.76 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BD249C	文件：145.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type BD250/A/B/C ·125 W at 25°C case temperature ·25 A continuous collector current 文件：145.26 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD249C	文件：146.85 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：146.85 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD249CG	文件：194.79 Kbytes Page：6 Pages	NPN High?뭁ower Transistor NPN High−Power Transistor NPN high−power transistors are for general−purpose power amplifier and switching applications. Features • ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V Human Body Model, 3B; > 8000 V • Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 • Pb−Free Package is Available* 文件：194.79 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

VCBO (V)：
115
VCEO (V)：
100
PD (W)：
125
PACKAGE：
TO-3P
NPN：
BD249C
PNP：
BD250C
HFE (Min/Max)：
10
IC/VCE (A/V)：
15/4.0
VCE(SAT) (V)：
1.8
IC / IB (A/mA)：
15/1.5A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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