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BD249C分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BD249C
厂商型号

BD249C

参数属性

BD249C 封装/外壳为TO-218-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 25A SOT93

功能描述

NPN High?뭁ower Transistor

封装外壳

TO-218-3

文件大小

194.79 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 22:30:00

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BD249C规格书详情

NPN High−Power Transistor

NPN high−power transistors are for general−purpose power amplifier and switching applications.

特性 Features

• ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V

Human Body Model, 3B; > 8000 V

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125

• Pb−Free Package is Available*

产品属性

  • 产品编号:

    BD249C-S

  • 制造商:

    Bourns Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 5A,25A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    5 @ 4V,25A

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-218-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-93

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 25A SOT93

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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