BD243C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

描述 Description

The 6 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in general purpose amplifier and switching applications. BD243B, BD243C (NPN); BD244B, BD244C (PNP) are complementary devices.

特性 Features

• Collector - Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc
• Collector Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) = 80 Vdc (Min)BD243B, BD244B VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) - BD243C, BD244C
• High Current Gain Bandwidth ProductfT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
• Compact TO-220 AB Package
• Pb-Free Packages are Available

简介

BD243C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BD243C晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。