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BD231	文件：44.44 Kbytes Page：8 Pages	PNP power transistor DESCRIPTION PNP power transistor in a TO-126; SOT32 plastic package. NPN complements: BD226, BD228 and BD230. FEATURES • High current (max. 1.5 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Driver stages in television circuits. 文件：44.44 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BD231	文件：73.09 Kbytes Page：8 Pages	PNP power transistors DESCRIPTION PNP power transistor in a TO-126; SOT32 plastic package. NPN complements: BD226, BD228 and BD230. FEATURES • High current (max. 1.5 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Driver stages in television circuits. 文件：73.09 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BD231	文件：108.82 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= -0.15A • Complement to Type BD226/228/230 APPLICATIONS • Designed for use in driver stages in television circuits. 文件：108.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD231	文件：131.75 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= -0.15A • Complement to Type BD226/228/230 APPLICATIONS • Designed for use in driver stages in television circuits. 文件：131.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD231	文件：108.37 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type BD230 • High current (Max:-1.5A) • Low voltage (Max: -80V) APPLICATIONS • Drive stage in TV circuits 文件：108.37 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD231	文件：109.97 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：109.97 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD231	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP power transistor	恩XP	恩XP
BD231	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 3-Pin TO-126	NJS	NJS
BD2310G	文件：1.25969 Mbytes Page：18 Pages	1ch 4 A High Speed Low-side Gate Driver General Description BD2310G is 1ch Low-side Gate Driver, which can drive external Nch-FET and IGBT at high speed. BD2310G can supply output current 4 A at small package SSOP5. This driver has the VREF pin for external input logic supply voltage and this range is 2.0 V to 5.5 V. As a protect 文件：1.25969 Mbytes 页数：18 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD2310G-TR	文件：1.25969 Mbytes Page：18 Pages	1ch 4 A High Speed Low-side Gate Driver General Description BD2310G is 1ch Low-side Gate Driver, which can drive external Nch-FET and IGBT at high speed. BD2310G can supply output current 4 A at small package SSOP5. This driver has the VREF pin for external input logic supply voltage and this range is 2.0 V to 5.5 V. As a protect 文件：1.25969 Mbytes 页数：18 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
BD231
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD140,BD170,BD180,BD238,BD442,3CA5D,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
100
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

技术参数

Configuration：
Single
Maximum Collector Base Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.8@0.1A@1AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum DC Collector Current：
1.5A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
12500mW
Maximum Transition Frequency：
50(Typ)MHz
Type：
PNP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
芯有半导体（深圳）有限公司	BD231	PHI	05+	原厂原装	9141	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市利加科技有限公司	BD231	PHI	16+	T0-126	10000	全新原装现货	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	BD231	PHI	25+	50PCS	2800	原装现货!可长期供货!	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	BD231	ISC	20+	TO-126	15800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	BD231	恩XP	23+	TO-126	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	BD231	ON/安森美	22+	TO-126	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BD231	恩XP	23+	TO-126	724554	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	BD231		22+	TO126	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市旺财半导体有限公司	BD231		23+	TO126	4000	正品原装货价格低	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BD231	恩XP	23+	TO-126	8000	只做原装现货	询价

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