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BD230	文件：44.19 Kbytes Page：8 Pages	NPN power transistor DESCRIPTION NPN power transistor in a TO-126; SOT32 plastic package. PNP complements: BD227, BD229 and BD231. FEATURES • High current (max. 1.5 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Driver stages in television circuits. 文件：44.19 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BD230	文件：109.06 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= 0.15A • Complement to Type BD227/229/231 APPLICATIONS • Designed for use in driver stages in television circuits. 文件：109.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD230	文件：134.44 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • DC Current Gain- : hFE= 40(Min)@ IC= 0.15A • Complement to Type BD227/229/231 APPLICATIONS • Designed for use in driver stages in television circuits. 文件：134.44 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD230	文件：108.03 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-126 package • Complement to type BD231 • High current (Max:1.5A) • Low voltage (Max: 80V) APPLICATIONS • Drive stage in TV circuits 文件：108.03 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD230	文件：109.63 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：109.63 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD230	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 3-Pin TO-126	NJS	NJS

晶体管资料

型号：
BD230
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD139,BD169,BD179,BD237,BD441,3DA87B,
最大耗散功率：
12.5W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
100
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
12.5

技术参数

Configuration：
Single
Maximum Collector Base Voltage：
100V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.8@0.1A@1AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
80V
Maximum DC Collector Current：
1.5A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
12500mW
Maximum Transition Frequency：
125(Typ)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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