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BD160GB64CK	文件：1.45661 Mbytes Page：79 Pages	16 Megabit (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory 文件：1.45661 Mbytes 页数：79 Pages	AMD 超威半导体	AMD
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BD160GT54DE	文件：1.45661 Mbytes Page：79 Pages	16 Megabit (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory 文件：1.45661 Mbytes 页数：79 Pages	AMD 超威半导体	AMD
BD160GT54DF	文件：1.45661 Mbytes Page：79 Pages	16 Megabit (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory 文件：1.45661 Mbytes 页数：79 Pages	AMD 超威半导体	AMD
BD160GT54DI	文件：1.45661 Mbytes Page：79 Pages	16 Megabit (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory 文件：1.45661 Mbytes 页数：79 Pages	AMD 超威半导体	AMD
BD160GT54DK	文件：1.45661 Mbytes Page：79 Pages	16 Megabit (1 M x 16-bit/512 K x 32-Bit), CMOS 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/Write Flash Memory 文件：1.45661 Mbytes 页数：79 Pages	AMD 超威半导体	AMD
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晶体管资料

型号：
BD160
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
YV_行输出（HA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BU109,BU128,BUY77,3DK206F,
最大耗散功率：
25W
放大倍数：
图片代号：
E-8
vtest：
250
htest：
999900
atest：
5
wtest：
25

技术参数

封装：
VQFN016V3030
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Topology：
Charge Pump
Vin(Min.)[V]：
2.7
Vin(Max.)[V]：
5.5
Output Current(Max.)[mA]：
120
Switch Current Limit(Typ.)[A]：
0.6
Number of Outputs：
4
Vout(Max.)[V]：
4.5
Frequency(Max.)[MHz]：
1
LED Configuration：
4(parallel)
LDO：
No
Auto Luminous Control：
No
GPIO：
No
Synchronous：
No
Dimming：
PWM
Peak Efficiency[%]：
94
Iq(Typ.)[mA]：
1
Ishutdown(Typ.)[µA]：
0.1
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-30
Operating Temperature (Max.)[°C]：
85
Package Size [mm]：
3x3 (t=1)

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