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BCY30	文件：83.6 Kbytes Page：1 Pages	PNP Silicon Transistors JEDEC TO39 Package 文件：83.6 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BCY30A	文件：14.45 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package. 文件：14.45 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BCY30	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 64V 0.05A 3-Pin TO-39	NJS	NJS
BCY78VIII	文件：0 bytes Page：0 Pages	CAN3	PHI 飞利浦上传：深圳市乐创天科技有限公司	PHI

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
64V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.55@3mA@20mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
64V
Maximum DC Collector Current：
0.05A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Power Dissipation：
250mW
Maximum Transition Frequency：
1(Min)MHz
Type：
PNP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCY30供应商更新时间2025-12-12 13:30:00

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