BCW68H数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
BCW68H |
| 参数属性 | BCW68H 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 45V 0.8A SOT23 |
| 功能描述 | General Purpose Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-14 13:31:00 |
| 人工找货 | BCW68H价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BCW68H规格书详情
描述 Description
PNP Silicon AF Transistors
特性 Features
·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Complementary types: BCW66... (NPN)
·Pb-free (RoHS compliant) package1)
·Qualified according AEC Q103
应用 Application
·For general AF applications
简介
BCW68H属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BCW68H晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BCW68H
- 生产厂家
：Infineon
- Polarity
：PNP (Single)
- VCEO max
：45.0V
- Ptot max
：330.0mW
- hFE min max
：250.0 630.0
- IC max
：800.0mA
- IC
：800.0mA
- VCE
：1.0V
- VCBO max
：60.0V
- VEBO max
：5.0V
- ICM max
：1000.0mA
- ICBO max
：20.0nA
- fT
：200.0MHz
- VCE(sat) max
：0.7V
- Mounting
：SMT
- IBM max
：200.0mA
- Package
：P-SOT23-3-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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