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BCW68GL中文资料PNP Bipolar Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BCW68GL

参数属性

BCW68GL 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3

功能描述

PNP Bipolar Transistor
TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-30 17:01:00

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BCW68GL规格书详情

描述 Description

The PNP Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.

特性 Features

• Pb-Free Package is Available

简介

BCW68GL属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BCW68GL晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BCW68GL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.7

  • IC Cont. (A)

    :0.8

  • VCEO Min (V)

    :45

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :2

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :120

  • hFE Max

    :400

  • fT Min (MHz)

    :100

  • PTM Max (W)

    :0.225

  • Package Type

    :SOT-23-3

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