BCW68GL数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
BCW68GL |
| 参数属性 | BCW68GL 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3 |
| 功能描述 | PNP Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-14 15:01:00 |
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BCW68GL规格书详情
描述 Description
The PNP Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.
特性 Features
• Pb-Free Package is Available
简介
BCW68GL属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BCW68GL晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BCW68GL
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Polarity
：PNP
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：0.7
- IC Cont. (A)
：0.8
- VCEO Min (V)
：45
- VCBO (V)
：60
- VEBO (V)
：5
- VBE(sat) (V)
：2
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：120
- hFE Max
：400
- fT Min (MHz)
：100
- PTM Max (W)
：0.225
- Package Type
：SOT-23-3
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