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BCW65B	文件：50.44 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon AF Transistor NPN Silicon AF Transistor • For general AF applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary types: BCW67, BCW68 (PNP) 文件：50.44 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCW65B	文件：87.17 Kbytes Page：3 Pages	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR N–P–N transistor 文件：87.17 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BCW65B	文件：328.77 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCW65 and BCW66 Series types are NPN Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for general purpose switching and amplifier applications. MARKING CODE: SEE MARKING CODE TABLE ON FOLLO 文件：328.77 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BCW65B	文件：181.85 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and re 文件：181.85 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
BCW65B	文件：216.45 Kbytes Page：4 Pages	NPN General Purpose Amplifier FEATURES ● For general AF appilications. ● High current gain. ● Low collector-emitter saturation voltage. ● Complementary types:BCW67,BCW68(PNP) APPLICATIONS ● General purpose medium power amplifier. ● Switching appilication. 文件：216.45 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BCW65B	文件：134.58 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain) NPN Silicon AF Transistors ● For general AF applications ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage ● Complementary types: BCW 67, BCW 68 (PNP) 文件：134.58 Kbytes 页数：6 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCW65B	文件：877.44 Kbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：877.44 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCW65B	文件：1.02945 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：1.02945 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCW65B	文件：328.77 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR 文件：328.77 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
BCW65B	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V,0.8A,General Purpose NPN Bipolar Transistor	Galaxy 银河微电	Galaxy

技术参数

AEC Qualified：
NO
Pb Free：
YES
Halide free：
YES
Reach：
YES
RoHS：
YES
Marketing Status：
Active
Polarity：
NPN
V(BR)CEO(V)min.：
60
IC(A)：
0.8
hFEmin.：
160
hFEmax.：
400
VCE (sat)(V)：
0.7
IB(mA)：
50
fT(MHz)min.：
170
PD(W)max.：
0.33
TJ(°C)max.：
150
TJ(°C)min.：
-65
ECCN(US)：
EAR99
Category：
双极型晶体管

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCW65B供应商更新时间2026-4-13 10:35:00

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