BCW60中文资料NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
BCW60 |
| 参数属性 | BCW60 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-4 8:58:00 |
| 人工找货 | BCW60价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BCW60三极管、BCW60晶体管、BCW60晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
微型 （Min）_低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
32V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BCW31,BCW32,BCW33,BCW71,BCW72,BCX70,3DG120C,
- 最大耗散功率：
0.15W
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
32
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.15
技术参数
- 产品编号：
BCW60A_D87Z
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
550mV @ 1.25mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
125MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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