| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宇集芯电子有限公司5年
留言
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Infineon/英飞凌SOT-23 |
163000 |
22+ |
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONSOT23 |
3000 |
15+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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FAI |
540 |
23+ |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
3000 |
23+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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SK/森浦科/INFNA/ |
15250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NXPSOT23 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOT23 |
6000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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FAIRCHILDSOT23-3 |
6000 |
1635+ |
好渠道!好价格!一片起卖! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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SKSEMISOT-23 |
12000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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NXPSOT23 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
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InfineonSOT23 |
7500 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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香港创芯邦电子有限公司2年
留言
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FAIRCHILD |
52 |
23+ |
现货库存 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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INFINEONNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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infineon technologiesNA |
358700 |
23+ |
原装现货 库存特价/长期供应元器件代理经销 |
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深圳市保之丰科技有限公司2年
留言
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Infineon(英飞凌) |
5000 |
21+ |
只做原装,欢迎来谈! |
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深圳市鑫蒙圣电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
3000 |
22+ |
原装 |
BCW60A采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BCW60A图片
BCW60A中文资料Alldatasheet PDF
更多BCW60A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/ 32V/ 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW60A/E8功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BCW60A/E9功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BCW60A_D87Z功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW60A_Q功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/ 32V/ 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW60A-AA制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS
BCW60AL功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
BCW60ALR功能描述:BJT
BCW60ALT1制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:General Purpose Transistors
BCW60AMTF功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
BCW60A
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
550mV @ 1.25mA，50mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
20nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
125MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
