| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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ONSOT23 |
89000 |
24+ |
全新原装现货,假一罚十 |
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5年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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7年
留言
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ONSEMIN/A |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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15年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-23 |
20300 |
25+ |
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ONSEMI/安森美原装特价BCW33LT1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23(TO-236) |
7957 |
24+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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6年
留言
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恩XPSOD110 |
6000 |
24+ |
公司现货库存,支持实单 |
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4年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-23 |
43600 |
26+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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11年
留言
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ON/安森美 |
8540 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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3年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-23 |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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3年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-23 |
4500 |
19+ |
原装现货询价发QQ微信 |
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10年
留言
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MOTOROLA原厂封装 |
24000 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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9年
留言
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ONSOT23SCPRPBF |
188600 |
25+ |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
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6年
留言
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MOTSOT-23 |
11960 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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13年
留言
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ONSOT-23 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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17年
留言
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ON/安森美SOT23 |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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3年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-23-3 |
360000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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1年
留言
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ONSEMI/安森美SOT-23 |
4500 |
24+ |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
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10年
留言
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ON(安森美)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货,欢迎咨询 |
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6年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
25+ |
原装,请咨询 |
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13年
留言
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MOTSOT-23 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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BCW33LT图片
BCW33LT1G价格
BCW33LT1G价格:¥0.1063品牌:ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的BCW33LT1G多少钱,想知道BCW33LT1G价格是多少?参考价:¥0.1063。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BCW33LT1G批发价格及采购报价,BCW33LT1G销售排行榜及行情走势,BCW33LT1G报价。
BCW33LT1中文资料Alldatasheet PDF
更多BCW33LT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW33LT1/D功能描述:General Purpose Transistor NPN
BCW33LT1D制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor
BCW33LT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW33LT3功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW33LT3G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

































