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BCW33LT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BCW33LT1G
厂商型号

BCW33LT1G

参数属性

BCW33LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3

功能描述

General Purpose Transistor
TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

262.78 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-10 15:29:00

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BCW33LT1G规格书详情

BCW33LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的BCW33LT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

General Purpose Transistor

NPN Silicon

Features

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BCW33LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    420 @ 2mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
24+
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
ONSEMI
24+
NA
6000
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718
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ONSEMI/安森美
24+
SOT-23
4500
只做原装,欢迎询价,量大价优
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ON/安森美
NA
275000
一级代理原装正品,价格优势,长期供应!
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ON/安森美
22+
SOT-23
14100
原装正品
询价
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON(安森美)
24+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
询价
ON
2020+
SOT-23
18000
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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ON2
23+
原厂原封
21000
订货1周 原装正品
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