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BCW33LT1	文件：371.11 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：371.11 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BCW33LT1D	文件：262.78 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor NPN Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：262.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW33LT1G	文件：262.78 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor General Purpose Transistor NPN Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：262.78 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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BCW33LT1G	文件：226.43 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor 文件：226.43 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW33LT1G_16	文件：226.43 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor 文件：226.43 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
BCW33LT1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3

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