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BCW30R	文件：32.79 Kbytes Page：1 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS PARTMARKING DETAILS - BCW29 - C1 BCW30 - C2 BCW29R - C4 BCW30R - C5 COMPLEMENTARY TYPES - BCW29 - BCW31 BCW30 - BCW32 文件：32.79 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
BCW30_02	文件：46.78 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：46.78 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BCW30_13	文件：163.15 Kbytes Page：4 Pages	PNP General Purpose Amplifier 文件：163.15 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BCW30LT1G	文件：255.8 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：255.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW30LT1G_16	文件：255.8 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：255.8 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW30	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP general purpose transistors PNP transistor in a SOT23 plastic package. NPN complements: BCW31 and BCW32. • Low current (max. 100 mA)\n• Low voltage (max. 32 V).\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BCW30	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP General Purpose Amplifier	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW30	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 0.5A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BCW30T116	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS PNP 32V 0.1A SST3	ROHM 罗姆	ROHM
BCW30,235	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 32V 0.1A TO236AB	Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.

晶体管资料

型号：
BCW30(C2)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
微型（Min）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCW61,BCW70,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.15

产品属性

产品编号：
BCW30
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
215 @ 2mA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 32V 0.5A SOT23-3

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