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BCV61B	文件：50.94 Kbytes Page：8 Pages	丝印：1K-；Package：SOT-143B；NPN general purpose double transistor DESCRIPTION NPN double transistor in a SOT143B plastic package. PNP complement: BCV62. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 30 V) • Matched pairs. APPLICATIONS • For use in applications where the working point must be independent of temperature • 文件：50.94 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BCV61B	文件：49.31 Kbytes Page：5 Pages	丝印：1Ks；Package：SOT-143；NPN Silicon Double Transistor NPN Silicon Double Transistor • To be used as a current mirror • Good thermal coupling and VBEmatching • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：49.31 Kbytes 页数：5 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCV61B	文件：131.71 Kbytes Page：3 Pages	丝印：1KP；Package：SOT-143；NPN general purpose double transistor ■ Features ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage 文件：131.71 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCV61B	文件：104.34 Kbytes Page：3 Pages	丝印：3KP；Package：SOT-143；PNP general purpose double transistor ■ Features ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage 文件：104.34 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCV61B	文件：95.1 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Double Transistors (To be used as a current mirror Good thermal coupling and VBE matching) NPN Silicon Double Transistors Preliminary Data ●To be used as a current mirror ●Good thermal coupling andVBEmatching ●High current gain ●Low emitter-saturation voltage 文件：95.1 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCV61B	文件：2.29281 Mbytes Page：13 Pages	丝印：1K；Package：SOT143B；NPN general-purpose double transistors Features * Low current (max. 100 mA) * Low voltage (max. 30 V) * Matched pairs 文件：2.29281 Mbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCV61B	文件：801.55 Kbytes Page：14 Pages	PNP general-purpose double transistors Features and benefits * Low current (max. 100 mA) * Low voltage (max. 30 V) * Matched pairs * AEC-Q101 qualified * Small SMD plastic package 文件：801.55 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCV61B	文件：181.56 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1Ks；Package：SOT-143；NPN Silicon Double Transistor 文件：181.56 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCV61B	文件：536.49 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1Ks；Package：SOT-143；NPN Silicon Double Transistor 文件：536.49 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCV61B	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	丝印：1K-；Package：SOT-143B；Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Polarity ：
NPN (Dual)
VCEO max：
30.0V
Ptot max：
300.0mW
hFE min max：
200.0 450.0
IC max：
2.0mA
IC ：
100.0mA
VCE (max)：
5.0V (5.0V)
VCBO max：
30.0V
VEBO max：
6.0V
ICM max：
200.0mA
ICBO max：
15.0nA
fT ：
250.0MHz

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