BCR192数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF
| 厂商型号 |
BCR192 |
| 参数属性 | BCR192 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 |
| 功能描述 | Digital Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 9:31:00 |
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BCR192规格书详情
描述 Description
PNP Silicon Digital Transistor
特性 Features
·Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit
·Built in bias resistor (R1 = 22kΩ , R2 = 47kΩ )
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q101
简介
BCR192属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由制造生产的BCR192晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
技术参数
更多- 制造商编号
：BCR192
- 生产厂家
：Infineon
- Polarity
：PNP (Single)
- R1
：22.0kΩ
- R2
：47.0kΩ
- hFE min
：70.0
- Vi (on) max
：1.2V
- Vi (on) min
：0.82mA / 0.3V
- Vi (off) max
：1.2100µA / 5V
- VCEO max
：50.0V
- VCBO max
：50.0V
- VEBO max
：50.0V
- Ptot max
：200.0mW
- ICBO max
：100.0nA
- fT
：200.0MHz
- VCE(sat) max
：0.3V
- Mounting
：SMT
- R1 / R2
：0.47
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
24+ |
SOT-23 |
3600 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
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SOT-23 |
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INFINEON |
24+ |
con |
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INFINEON |
SOT-23 |
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Infineon |
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SOT23 |
5300 |
现货 |
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INFINEON |
24+ |
SOT23 |
96000 |
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Infineon |
25+ |
SOT23 |
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INFINEON |
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SOT23-3 |
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询价 |
