BCR185数据手册分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF

描述 Description

PNP Silicon Digital Transistor

特性 Features

·Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit
·Built in bias resistor (R1 = 10 kΩ , R2 = 47 kΩ )
·BCR185S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package
·BCR185S: For orientation in reel see package information below
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q101

简介

BCR185属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由制造生产的BCR185晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。