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BCR169W	文件：496.52 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WSs；Package：SOT-323；PNP Silicon Digital Transistor PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 4.7k Ω) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：496.52 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR169W	文件：34.15 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 4.7kΩ) 文件：34.15 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR169W	文件：259.39 Kbytes Page：12 Pages	丝印：WSs；Package：SOT-323；PNP Silicon Digital Transistor 文件：259.39 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR169W	文件：873.09 Kbytes Page：11 Pages	丝印：WSs；Package：SOT323；PNP Silicon Digital Transistor 文件：873.09 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR169W	文件：300 bytes Page：1 Pages	AF 数字晶体管	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR169WE6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR169WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

hFE：
120 to 630
ICBOmax：
100 nA
Ptotmax：
250 mW
R1：
4.7 kΩ
VCBOmax：
50 V
VCE(sat)max：
0.3 V
VCEOmax：
50 V
VEBOmax：
5 V
Vi (off) max：
0.8 100µA / 5V
Vi (on)max：
0.8 V
Vi (on)min：
0.5 2mA / 0.3V
Mounting：
SMT
Polarity：
PNP (Single)

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