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BCR166_07	文件：118.14 Kbytes Page：10 Pages	PNP Silicon Digital Transistor 文件：118.14 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR166_11	文件：841.96 Kbytes Page：8 Pages	PNP Silicon Digital Transistor 文件：841.96 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR166F	文件：118.14 Kbytes Page：10 Pages	PNP Silicon Digital Transistor 文件：118.14 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR166W	文件：841.96 Kbytes Page：8 Pages	丝印：WTs；Package：SOT323；PNP Silicon Digital Transistor 文件：841.96 Kbytes 页数：8 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR166W	文件：118.14 Kbytes Page：10 Pages	PNP Silicon Digital Transistor 文件：118.14 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR166W	文件：34.8 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) 文件：34.8 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR166W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR166E6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR166E6433HTMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR166WE6327HTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BCR166
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTA143ZK,KSR2114,RN2406,2SA1597,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

hFEmin：
70
ICBOmax：
100 nA
Ptotmax：
200 mW
R1 / R2：
0.1
R1：
4.7 kΩ
R2：
47 kΩ
VCBOmax：
50 V
VCE(sat)max：
0.3 V
VCEOmax：
50 V
VEBOmax：
5 V
Vi (off) max：
0.8 100µA / 5V
Vi (on)max：
0.8 V
Vi (on)min：
0.5 2mA / 0.3V
Mounting：
SMT
Polarity：
PNP (Single)

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