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BCR112W	文件：841.95 Kbytes Page：8 Pages	丝印：BCR112W；Package：SOT323；NPN Silicon Digital Transistor 文件：841.95 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112W	文件：841.69 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ) • Pb-free (RoHS compliant) package • Qualified according AEC Q101 文件：841.69 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112W	文件：34.91 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, inferface circuit, driver circuit) NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, inferface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ) 文件：34.91 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR112W	文件：206.83 Kbytes Page：9 Pages	丝印：WFs；Package：SOT-323；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=4.7kΩ, R2=4.7kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：206.83 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112W	文件：120.53 Kbytes Page：11 Pages	丝印：WFs；Package：SOT-323；NPN Silicon Digital Transistor 文件：120.53 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112W	文件：300 bytes Page：1 Pages	Digital Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112WE6327BTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	Infineon 英飞凌	Infineon
BCR112WH6327XTSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Polarity ：
NPN (Single)
R1 ：
4.7kΩ
R2 ：
4.7kΩ
hFE min：
20.0
Vi (on) max：
1.5V
Vi (on) min：
1.02mA / 0.3V
Vi (off) max：
1.5100µA / 5V
VCEO max：
50.0V
VCBO max：
50.0V
VEBO max：
10.0V
Ptot max：
250.0mW
ICBO max：
100.0nA
fT ：
140.0MHz
VCE(sat) max：
0.3V
Mounting ：
SMT
R1 / R2 ：
1.0

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