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BCR108F	文件：491.12 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WHs；Package：TSFP-3；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：491.12 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR108L3	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	丝印：WH；Package：TSLP-3-4；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：216.55 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR108L3	文件：491.12 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WH；Package：TSLP-3-4；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：491.12 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR108S	文件：211.61 Kbytes Page：12 Pages	丝印：WHs；Package：SOT-363；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2 kΩ, R2=47 kΩ) • BCR108S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package • BCR108S: For orientation in reel see packa 文件：211.61 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR108S	文件：43.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) NPN Silicon Digital Transistor Array • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Two (galvanic) internal isolated Transistors in on package • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) 文件：43.94 Kbytes 页数：4 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCR108S	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	丝印：WHs；Package：SOT-363；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：216.55 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR108S	文件：491.12 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WHs；Package：SOT-363；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：491.12 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR108SH6327	文件：211.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2 kΩ, R2=47 kΩ) • BCR108S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package • BCR108S: For orientation in reel see packa 文件：211.61 Kbytes 页数：12 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR108T	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	丝印：WHs；Package：SOT-416；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：216.55 Kbytes 页数：9 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCR108T	文件：491.12 Kbytes Page：10 Pages	丝印：WHs；Package：SOT-416；NPN Silicon Digital Transistor NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1=2.2kΩ, R2=47kΩ) • For 6-PIN packages: two (galvanic) internal isolated transistors with good matching in one package 文件：491.12 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BCR108
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTC123JK,KSR1113,RN1405,UN221M,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

hFEmin：
70
ICBOmax：
100 nA
Ptotmax：
200 mW
R1 / R2：
0.047
R1：
2.2 kΩ
R2：
47 kΩ
VCBOmax：
50 V
VCE(sat)max：
0.3 V
VCEOmax：
50 V
VEBOmax：
5 V
Vi (off) max：
0.8 100µA / 5V
Vi (on)max：
0.8 V
Vi (on)min：
0.5 2mA / 0.3V
Mounting：
SMT
Polarity：
NPN (Single)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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