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BSH103	文件：1.85593 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
BSH103	文件：197.85 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES ·Verylowthreshold ·High-speedswitching ·Nosecondarybreakdown ·DirectinterfacetoC-MOS,TTLetc. APPLICATIONS ·Powermanagement ·DCtoDCconverters ·Batterypoweredapplications ·‘Glue-logic’;interfacebetweenlogicblocksand/or periphery ·Generalpurposeswit	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSH103BK	文件：288.26 Kbytes Page：13 Pages	30V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ElectroStaticDis	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BSW-103-XX-X	文件：220.7 Kbytes Page：1 Pages	BOTTOMMOUNTSTRIPS Bottommountsocket stripsaccept.025“SQ terminals:. Idealforsolderingand pluggingfromthesame sideoftheboard Forlowprofile connectionsandhigh temperaturesoldering,.	SamtecSamtec, Inc 美国申泰	Samtec
BT103	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BU103	文件：113.26 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 ChargerandSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BU103A	文件：295.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·ContinuousCollectorCurrent-IC=1A ·CollectorPowerDissipation- :PC=30W@TC=25℃ APPLICATIONS ·DesignedforTVverticalapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU103A	文件：126.48 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •ContinuousCollectorCurrent-lc=1A •CollectorPowerDissipation- :Pc=30W@TC=25°C APPLICATIONS •DesignedforTVverticalapplications.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BU103A	文件：115.62 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 andSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO
BU103AD	文件：117.4 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor FEATURES ●Highvoltagecapability ●Intergratedantiparallelcollector-emitterdiode ●Featuresofgoodhightemperature ●Highswitchingspeed APPLICATION FluorescentLamp、ElectronicBallast、 andSwitch-modepowersupplies	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶导深圳市晶导电子有限公司	JINGDAO

详细参数

型号：
BCR103T
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
NPN Silicon Digital Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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